Technische Details CY7C1049DV33-10VXI Cypress Semiconductor Corp
Статична енергозалежна пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512К х 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: BSOJ-36 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 19 Stücke.
Weitere Produktangebote CY7C1049DV33-10VXI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| CY7C1049DV3310VXI | CY |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CY7C1049DV3310VXI |
Hersteller: CY
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