Technische Details CY7C1049DV33-10VXI Cypress Semiconductor Corp
Статична енергозалежна пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512К х 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: BSOJ-36 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 19 Stücke.
Weitere Produktangebote CY7C1049DV33-10VXI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1049DV3310VXI | Hersteller : CY |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||
| CY7C1049DV33-10VXI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
 SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| CY7C1049DV33-10VXI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
Статична енергозалежна пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512К х 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: BSOJ-36 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 19 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
CY7C1049DV33-10VXI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
SRAM 4Mb 10ns 3.3V 512Kx8 Fast Async SRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |