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CY7C1049G30-10VXI

CY7C1049G30-10VXI Infineon Technologies

1306294531967739download.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube
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Technische Details CY7C1049G30-10VXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C1049G30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: SOJ, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.b, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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CY7C1049G30-10VXI CY7C1049G30-10VXI Hersteller : Infineon Technologies 1306294531967739download.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube
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CY7C1049G30-10VXI CY7C1049G30-10VXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-SOJ
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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