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CY7C1049GN30-10ZSXI

CY7C1049GN30-10ZSXI Infineon Technologies

02-10613_cy7c1049gn_4_mbit_512k_words_x_8_bit_static_ram.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
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Technische Details CY7C1049GN30-10ZSXI Infineon Technologies

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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CY7C1049GN30-10ZSXI CY7C1049GN30-10ZSXI Hersteller : Infineon Technologies 02-10613_cy7c1049gn_4_mbit_512k_words_x_8_bit_static_ram.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
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CY7C1049GN30-10ZSXI Hersteller : INFINEON (CYPRESS) Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating voltage: 2.2...3.6V
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Access time: 10ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
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Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
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Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
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Kind of memory: SRAM
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