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CY7C1061G30-10BV1XI

CY7C1061G30-10BV1XI Infineon Technologies

Infineon_CY7C1061G_CY7C1061GE_16_MBIT__1M_WORDS_X_-3361146.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
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Technische Details CY7C1061G30-10BV1XI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: VFBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 16Mbit, MSL: -, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Speichergröße: 16Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit.

Weitere Produktangebote CY7C1061G30-10BV1XI nach Preis ab 36.06 EUR bis 43.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
CY7C1061G30-10BV1XI CY7C1061G30-10BV1XI Infineon Technologies Infineon-CY7C1061G_CY7C1061GE_16_MBIT_(1M_WORDS_X_16_BIT)_STATIC_RAM_WITH_ERROR_CORRECTING_CODE_(ECC)-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec387e33888&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 325 Stücke:
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auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+40.46 EUR
25+40.02 EUR
50+39.05 EUR
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CY7C1061G30-10BV1XI CY7C1061G30-10BV1XI INFINEON CYPR-S-A0011122887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 16Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
auf Bestellung 467 Stücke:
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CY7C1061G30-10BV1XI Infineon-CY7C1061G_CY7C1061GE_16_MBIT_(1M_WORDS_X_16_BIT)_STATIC_RAM_WITH_ERROR_CORRECTING_CODE_(ECC)-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec387e33888&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_
CY7C1061G30-10BV1XI
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Hersteller: Cypress Semiconductor
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
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CY7C1061G30-10BV1XI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 16Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
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