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CY7C1061G30-10BVJXI

CY7C1061G30-10BVJXI Infineon Technologies

Infineon_CY7C1061G_CY7C1061GE_16_MBIT__1M_WORDS_X_-3361146.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
auf Bestellung 465 Stücke:
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Technische Details CY7C1061G30-10BVJXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVJXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: VFBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 16Mbit, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Speichergröße: 16Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit.

Weitere Produktangebote CY7C1061G30-10BVJXI nach Preis ab 46.03 EUR bis 70.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CY7C1061G30-10BVJXI CY7C1061G30-10BVJXI Cypress Semiconductor CYPR_S_A0011122887_1-2541212.pdf SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
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CY7C1061G30-10BVJXI CY7C1061G30-10BVJXI INFINEON CYPR-S-A0011122887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVJXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 16Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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10+47.49 EUR
25+47.08 EUR
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CY7C1061G30-10BVJXI CY7C1061G30-10BVJXI Infineon Technologies infineon-cy7c1061g-cy7c1061ge-16-mbit-1m-words-x-16-bit-static-ram-with-error-correcting-code-ecc-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec387e33888&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.27 EUR
10+65.02 EUR
25+62.94 EUR
50+61.38 EUR
100+59.83 EUR
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CY7C1061G30-10BVJXI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVJXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
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SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
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CY7C1061G30-10BVJXI infineon-cy7c1061g-cy7c1061ge-16-mbit-1m-words-x-16-bit-static-ram-with-error-correcting-code-ecc-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec387e33888&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut
CY7C1061G30-10BVJXI
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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