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CY7C1061G30-10BVXI

CY7C1061G30-10BVXI Infineon Technologies

words_x_16_bit_static_ram_with_error_correcting_code_ecc.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray
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Technische Details CY7C1061G30-10BVXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: VFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 16Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 16Mbit, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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CY7C1061G30-10BVXI CY7C1061G30-10BVXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon-CY7C1061G_CY7C1061GE_16_MBIT_(1M_WORDS_X_16_BIT)_STATIC_RAM_WITH_ERROR_CORRECTING_CODE_(ECC)-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec387e33888&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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