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CY7C1061G30-10ZXI

CY7C1061G30-10ZXI Infineon Technologies

Infineon_CY7C1061G_CY7C1061GE_16_MBIT__1M_WORDS_X_-3361146.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
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Technische Details CY7C1061G30-10ZXI Infineon Technologies

Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 16Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TSOP I, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 1M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CY7C1061G30-10ZXI CY7C1061G30-10ZXI Cypress Semiconductor CYPR_S_A0011122887_1-2541212.pdf SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
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CY7C1061G30-10ZXI CY7C1061G30-10ZXI Infineon Technologies infineon-cy7c1061g-cy7c1061ge-16-mbit-1m-words-x-16-bit-static-ram-with-error-correcting-code-ecc-datasheet-en.pdf?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
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Technology: SRAM - Asynchronous
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Memory Interface: Parallel
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Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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