CY7C1061GE30-10ZSXI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 54-Pin TSOP-II Tray
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Technische Details CY7C1061GE30-10ZSXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1061GE30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP-II, 54 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 16Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit.
Weitere Produktangebote CY7C1061GE30-10ZSXI nach Preis ab 48.72 EUR bis 70.84 EUR
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CY7C1061GE30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 54-Pin TSOP-II Tray |
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CY7C1061GE30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC |
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CY7C1061GE30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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CY7C1061GE30-10ZSXI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC |
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CY7C1061GE30-10ZSXI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1061GE30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP-II, 54 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 16Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit |
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CY7C1061GE30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 54-Pin TSOP-II Tray |
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CY7C1061GE30-10ZSXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 54-Pin TSOP-II Tray |
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