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CY7C1062G30-10BGXI

CY7C1062G30-10BGXI Infineon Technologies

Infineon_CY7C1062G_CY7C1062GE_16_Mbit__512_K_words-3446082.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
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Technische Details CY7C1062G30-10BGXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C1062G30-10BGXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 512Kword x 32 Bit, PBGA, 119 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: PBGA, Speicherdichte: 16Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 119Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512Kword x 32 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CY7C1062G30-10BGXI CY7C1062G30-10BGXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon-CY7C1062G_CY7C1062GE_16-Mbit_(512_K_words_32_bits)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3e12d3948&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211 Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 119PBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 119-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 119-PBGA (14x22)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY7C1062G30-10BGXI CY7C1062G30-10BGXI Hersteller : Infineon Technologies 6612850647102511download.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 119-Pin BGA Tray
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CY7C1062G30-10BGXI CY7C1062G30-10BGXI Hersteller : INFINEON CYPR-S-A0004572530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1062G30-10BGXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 512Kword x 32 Bit, PBGA, 119 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: PBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 119Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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CY7C1062G30-10BGXI CY7C1062G30-10BGXI Hersteller : Infineon Technologies 6612850647102511download.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 119-Pin BGA Tray
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CY7C1062G30-10BGXI CY7C1062G30-10BGXI Hersteller : Infineon Technologies 6612850647102511download.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 119-Pin BGA Tray
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CY7C1062G30-10BGXI Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1062G_CY7C1062GE_16-Mbit_(512_K_words_32_bits)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3e12d3948&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 84 Stücke
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CY7C1062G30-10BGXI Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1062G_CY7C1062GE_16-Mbit_(512_K_words_32_bits)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3e12d3948&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=20211 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
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