CY7C199CN-15PXC Cypress Semiconductor
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Technische Details CY7C199CN-15PXC Cypress Semiconductor
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 28-PDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 15 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote CY7C199CN-15PXC
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| CY7C199CN-15PXC | Cypress Semiconductor |
  Быстрая статическая память (32K x 8, 15ns, Vcc=+4.5..5.5V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 135 Stücke |
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CY7C199CN-15PXC | Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 28-PDIP Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 15 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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CY7C199CN-15PXC | Infineon Technologies |
SRAM 256Kb 15ns 32K x 8 SRAM |
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| CY7C199CN-15PXC |
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Hersteller: Cypress Semiconductor
Быстрая статическая память (32K x 8, 15ns, Vcc=+4.5..5.5V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
Быстрая статическая память (32K x 8, 15ns, Vcc=+4.5..5.5V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
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| CY7C199CN-15PXC |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-PDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-PDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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| CY7C199CN-15PXC |
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Hersteller: Infineon Technologies
SRAM 256Kb 15ns 32K x 8 SRAM
SRAM 256Kb 15ns 32K x 8 SRAM
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