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CY7C199D-10VXI

CY7C199D-10VXI Infineon Technologies

38-05471_cy7c199d_256_kbit_32k_x_8_static_ram.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 10ns 28-Pin SOJ Tube
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Technische Details CY7C199D-10VXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C199D-10VXI - IC, SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 256Kbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit.

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CY7C199D-10VXI CY7C199D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies 38-05471_cy7c199d_256_kbit_32k_x_8_static_ram.pdf SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 10ns 28-Pin SOJ Tube
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CY7C199D-10VXI CY7C199D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon_CY7C199D_256_Kbit__32_K_8__Static_RAM_Dat-3361336.pdf SRAM 256Kb 10ns 32K x 8 SRAM
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CY7C199D-10VXI CY7C199D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon-CY7C199D_256-Kbit_(32_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebf20333330&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOJ
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY7C199D-10VXI CY7C199D-10VXI Hersteller : INFINEON 2309595.pdf Description: INFINEON - CY7C199D-10VXI - IC, SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-28
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
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CY7C199D10VXI Hersteller : CYPRESS
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CY7C199D-10VXI CY7C199D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies 38-05471_cy7c199d_256_kbit_32k_x_8_static_ram.pdf SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 10ns 28-Pin SOJ Tube
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CY7C199D-10VXI CY7C199D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies 38-05471_cy7c199d_256_kbit_32k_x_8_static_ram.pdf SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 10ns 28-Pin SOJ Tube
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CY7C199D-10VXI CY7C199D-10VXI Hersteller : Infineon Technologies 38-05471_cy7c199d_256_kbit_32k_x_8_static_ram.pdf SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 10ns 28-Pin SOJ Tube
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CY7C199D-10VXI Hersteller : INFINEON (CYPRESS) Infineon-CY7C199D_256-Kbit_(32_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebf20333330&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 300mils
Operating voltage: 4.5...5.5V
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
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CY7C199D-10VXI Hersteller : INFINEON (CYPRESS) Infineon-CY7C199D_256-Kbit_(32_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebf20333330&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
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Case: SOJ28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 300mils
Operating voltage: 4.5...5.5V
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