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CY7C2265KV18-400BZXI ROCHESTER ELECTRONICS

Infineon-CY7C2263KV18_CY7C2265KV18_36-Mbit_QDR_II+_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec18d15365b
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - CY7C2265KV18-400BZXI - CY7C2265KV18 QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS PB
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details CY7C2265KV18-400BZXI ROCHESTER ELECTRONICS

Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 165-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 36Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+, Clock Frequency: 400 MHz, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15), Memory Interface: Parallel, Memory Organization: 1M x 36, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CY7C2265KV18-400BZXI CY7C2265KV18-400BZXI Infineon Technologies Infineon-CY7C2263KV18_CY7C2265KV18_36-Mbit_QDR_II+_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec18d15365b Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
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Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
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Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
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Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY7C2265KV18-400BZXI Cypress Semiconductor 001-57843_CY7C2263KV18_CY7C2265KV18_36-MBIT_QDR_R_-371582.pdf SRAM 36Mb (1Mx36) 1.8V 400Mhz QDR II SRAM
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CY7C2265KV18-400BZXI Infineon-CY7C2263KV18_CY7C2265KV18_36-Mbit_QDR_II+_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec18d15365b
CY7C2265KV18-400BZXI
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY7C2265KV18-400BZXI 001-57843_CY7C2263KV18_CY7C2265KV18_36-MBIT_QDR_R_-371582.pdf
Hersteller: Cypress Semiconductor
SRAM 36Mb (1Mx36) 1.8V 400Mhz QDR II SRAM
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