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CY7C2670KV18-550BZI Infineon Technologies


Infineon-CY7C2670KV18_144-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec247eb3736
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 550 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 144Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
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Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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Technische Details CY7C2670KV18-550BZI Infineon Technologies

Description: IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA, Packaging: Tray, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 4M x 36, Memory Interface: Parallel, Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17), Memory Format: SRAM, Clock Frequency: 550 MHz, Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+, Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 144Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 165-LBGA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
CY7C2670KV18-550BZI Infineon Technologies Infineon_CY7C2670KV18_144_Mbit_DDR_II_2b_SRAM_Two_-3361417.pdf SRAM 144Mb (4Mx36) QDR II QDR II + SRAM
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