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CY7S1041G30-10ZSXI

CY7S1041G30-10ZSXI Cypress Semiconductor

cypress_semiconductor_cypr-s-a0004006690-1-1734755.pdf
Hersteller: Cypress Semiconductor
SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
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Technische Details CY7S1041G30-10ZSXI Cypress Semiconductor

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tray, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 10 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CY7S1041G30-10ZSXI CY7S1041G30-10ZSXI Infineon Technologies Infineon-CY7S1041G_CY7S1041GE_4-Mbit_(256K_words_X_16_bit)_Static_RAM_with_PowerSnooze_and_Error_Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8be265a6b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
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CY7S1041G30-10ZSXI CY7S1041G30-10ZSXI Infineon Technologies Infineon_CY7S1041G_2cCY7S1041GE_4_Mbit__256K_words-3161494.pdf SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
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CY7S1041G30-10ZSXI Infineon-CY7S1041G_CY7S1041GE_4-Mbit_(256K_words_X_16_bit)_Static_RAM_with_PowerSnooze_and_Error_Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8be265a6b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm
CY7S1041G30-10ZSXI
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
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Hersteller: Infineon Technologies
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