Technische Details D1461S45TXPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 1720A BGD10026K1, Packaging: Tray, Package / Case: DO-200, Variant, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1720A, Supplier Device Package: BG-D10026K-1, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 140°C, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 mA @ 4500 V.
Weitere Produktangebote D1461S45TXPSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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D1461S45TXPSA1 | Infineon Technologies |
 Diode Switching 4.5KV 1.72KA 2-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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D1461S45TXPSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE STANDARD 1720A BGD10026K1 Packaging: Tray Package / Case: DO-200, Variant Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1720A Supplier Device Package: BG-D10026K-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 140°C Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 mA @ 4500 V |
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| D1461S45TXPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Switching 4.5KV 1.72KA 2-Pin Tray
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| D1461S45TXPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 1720A BGD10026K1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200, Variant
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1720A
Supplier Device Package: BG-D10026K-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 140°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 mA @ 4500 V
Description: DIODE STANDARD 1720A BGD10026K1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200, Variant
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1720A
Supplier Device Package: BG-D10026K-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 140°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 mA @ 4500 V
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