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D2601N90TXPSA1

D2601N90TXPSA1 Infineon Technologies

Infineon-D2601N-DS-v9_1-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43181865462
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 9KV 3040A
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3040A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9000 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 9000 V
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Technische Details D2601N90TXPSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 9KV 3040A, Packaging: Tray, Package / Case: DO-200AE, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3040A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 9000 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 9000 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
D2601N90TXPSA1 D2601N90TXPSA1 Infineon Technologies dgdlfolderiddb3a304412b407950112b42f98a54c5efileiddb3a304412b4079.pdf Rectifier Diode
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