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D44H8

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Produktcode: 190932
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
D44H8 D44H8 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.5 EUR
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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D44H8 D44H8 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.29 EUR
194+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.68 EUR
10000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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D44H8 D44H8 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.76 EUR
134+1.24 EUR
193+0.83 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.6 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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D44H8 D44H8 STMicroelectronics cd00000942.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D44H8 D44H8 STMicroelectronics en.CD00000942.pdf D44H8_NZT44H8.pdf Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
auf Bestellung 2121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.5 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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D44H8 D44H8 STMicroelectronics en.CD00000942.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
50+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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D44H8 D44H8 STMicroelectronics d44h8.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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D44H8 D44H8 STMICROELECTRONICS SGSTS35675-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - D44H8 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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D44H8 D44H8 ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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D44H8
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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D44H8
Hersteller: STMicroelectronics
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AnzahlPrivatkunde
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500+0.74 EUR
1000+0.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
63+2.76 EUR
134+1.24 EUR
193+0.83 EUR
500+0.69 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
auf Bestellung 2121 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+1.5 EUR
100+1.33 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Power - Max: 50 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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D44H8
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
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AnzahlPrivatkunde
18+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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D44H8
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - D44H8 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
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D44H8
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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