D44H8 - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
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Technische Details D44H8
Preis D44H8 ab 0.5 EUR bis 3.25 EUR
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D44H8 Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 
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auf Bestellung 275 Stücke  Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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 Hersteller: onsemi Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Frequency - Transition: 50MHz Power - Max: 2W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 10A Transistor Type: NPN Part Status: Obsolete Packaging: Tube Supplier Device Package: TO-220
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auf Bestellung 8632 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Frequency - Transition: 50MHz Power - Max: 2W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 10A Transistor Type: NPN Part Status: Active Packaging: Bulk Supplier Device Package: TO-220AB Package / Case: TO-220-3
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auf Bestellung 1897 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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D44H8G Hersteller: ONSEMI Material: D44H8G NPN THT transistors
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auf Bestellung 18 Stücke  Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D44H8 Hersteller: STMicroelectronics Material: D44H8-ST NPN THT transistors
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auf Bestellung 170 Stücke Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D44H8G Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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auf Bestellung 240 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D44H8G Hersteller: ON Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Trans. D44H8G TO220AB TD44H8G Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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auf Bestellung 50 Stücke Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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D44H8 Hersteller: STMicroelectronics Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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auf Bestellung 768 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D44H8 Hersteller: STMicroelectronics Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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auf Bestellung 800 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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 Hersteller: ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W NPN
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auf Bestellung 590 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: onsemi Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W NPN
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auf Bestellung 172 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: onsemi Description: TRANS NPN 60V 10A TO220AB Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Frequency - Transition: 50MHz Power - Max: 2W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Supplier Device Package: TO-220 Package / Case: TO-220-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 10A Transistor Type: NPN Part Status: Active Packaging: Tube
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auf Bestellung 796 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: STMicroelectronics Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220 Supplier Device Package: TO-220 Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 50W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 10A Transistor Type: NPN Part Status: Active Packaging: Tube
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auf Bestellung 1188 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: ONSEMI Description: ONSEMI - D44H8G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 10 A, 2 W, TO-220, Through Hole Transistor Polarity: NPN Product Range: - Power Dissipation Pd: 2 DC Current Gain hFE: 60 Operating Temperature Max: 150 Transistor Mounting: Through Hole MSL: - Automotive Qualification Standard: - DC Collector Current: 10 Transistor Case Style: TO-220 Transition Frequency ft: 50 No. of Pins: 3 Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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 Hersteller: STMicroelectronics Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: ONSEMI Description: ONSEMI - D44H8 - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 10 A, 60 W, TO-220, Through Hole Transistor Polarity: NPN Product Range: - Power Dissipation Pd: 60 DC Current Gain hFE: 40 Operating Temperature Max: 150 Transistor Mounting: Through Hole MSL: - Automotive Qualification Standard: - DC Collector Current: 10 Transistor Case Style: TO-220 Transition Frequency ft: 50 No. of Pins: 3 Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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 Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Hersteller: STMICROELECTRONICS Description: STMICROELECTRONICS - D44H8 - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 10 A, 50 W, TO-220, Through Hole Transistor Polarity: NPN Product Range: - Power Dissipation Pd: 50 DC Current Gain hFE: 60 Operating Temperature Max: 150 Transistor Mounting: Through Hole MSL: - Automotive Qualification Standard: - DC Collector Current: 10 Transistor Case Style: TO-220 Transition Frequency ft: - No. of Pins: 3 Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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418 Stücke |
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Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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D44H8 Hersteller: ST NPN TRANSISTOR 60V 10A TO220
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D44H8G Hersteller: ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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auf Bestellung 10 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D44H8 Hersteller: STMicroelectronics Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
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D44H8 Hersteller: STMicroelectronics Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: onsemi / Fairchild Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
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Hersteller: STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
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auf Bestellung 4899 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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D44H8G Hersteller: Rochester Electronics, LLC Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 10A, 6 Packaging: Bulk Part Status: Active Transistor Type: NPN Current - Collector (Ic) (Max): 10A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Power - Max: 2W Frequency - Transition: 50MHz Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Supplier Device Package: TO-220AB
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Hersteller: onsemi Description: TRANS NPN 60V 10A TO220AB Supplier Device Package: TO-220 Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2W Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 10A Transistor Type: NPN Part Status: Obsolete Packaging: Tube
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