D45H11G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 367+ | 0.39 EUR |
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Technische Details D45H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote D45H11G nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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D45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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D45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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D45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
auf Bestellung 1388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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D45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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D45H11G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
auf Bestellung 2586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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D45H11G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 10991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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D45H11G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| D45H11G | Hersteller : ON |
2010+ |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| D45H11G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 40MHz |
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