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D45H8G

D45H8G ON Semiconductor

d44h-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
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236+0.59 EUR
239+0.56 EUR
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Technische Details D45H8G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote D45H8G nach Preis ab 0.44 EUR bis 3.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
D45H8G D45H8G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
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D45H8G D45H8G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D45H8G D45H8G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1370 Stücke:
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236+0.59 EUR
500+0.56 EUR
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D45H8G D45H8G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D45H8G D45H8G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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D45H8G D45H8G ON Semiconductor d44h-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
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157+0.92 EUR
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D45H8G D45H8G onsemi d44h-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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10+1.95 EUR
50+0.92 EUR
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D45H8G D45H8G onsemi d44h-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W PNP
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2+2.15 EUR
10+1.31 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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D45H8G D45H8G ONSEMI d44h-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
auf Bestellung 19 Stücke:
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19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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D45H8G D45H8G ONSEMI ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2405 Stücke:
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D45H8G ON-Semiconductor d44h-d.pdf PNP 60V 10A 2W 40MHz D45H8G TD45H8G
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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D45H8G
Hersteller: ON Semiconductor
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D45H8G
Hersteller: ON Semiconductor
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D45H8G
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234+0.62 EUR
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D45H8G
Hersteller: ON Semiconductor
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D45H8G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
157+0.92 EUR
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D45H8G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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5000+0.48 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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D45H8G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W PNP
auf Bestellung 977 Stücke:
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10+1.31 EUR
100+0.89 EUR
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D45H8G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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D45H8G ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D45H8G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: ON-Semiconductor
PNP 60V 10A 2W 40MHz D45H8G TD45H8G
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
30+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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