D45VH10G ON Semiconductor
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Technische Details D45VH10G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote D45VH10G nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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D45VH10G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 15A 83000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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D45VH10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 15A 83000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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D45VH10G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 83W PNP |
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D45VH10G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 83 W |
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D45VH10G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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D45VH10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 15A 83000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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D45VH10G Produktcode: 71904
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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D45VH10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 15A 83000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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D45VH10G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 83W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 15A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Current gain: 20 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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D45VH10G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 83W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 15A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Current gain: 20 Mounting: THT Kind of package: tube |
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