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DA112S1

DA112S1 NXP

DA108S1-112S1.pdf
Produktcode: 2350
Hersteller: NXP
Gehäuse: SO-8
Urev.,V: 18
Iausricht.,А: 01.05.2000
Beschreibung: Diodesatz 12 Diode
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,2 V
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.64 EUR
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Technische Details DA112S1 NXP

  • DIODE ARRAY, TVS
  • Diode Type:TVS, Bidirectional
  • Stand-off Voltage:18V
  • Voltage Vbr:18V
  • Peak Pulse Power:730mW
  • Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Max Current Ir:2eA
  • Max Voltage Vf:1.2V
  • Peak Pulse Current:12A
  • Peak Pulse Voltage:12kV
  • SMD Marking:DA112S
  • Termination Type:SMD
  • Voltage Vrrm:18V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DA112S1 Hersteller : ST en.CD00000826.pdf Diode Array; Vrrm 18V; Ipp 12A; 730mW; 8Channel; -55°C~150°C; Substitute: DA112S1RL; DA112S1 UIDA112s1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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DA112S1 DA112S1 Hersteller : STMicroelectronics 9630cd00000826.pdf ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 18V 8-Pin SO N Tube
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DA112S1 DA112S1 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BBBF807938573E28&compId=DA1xxS1.pdf?ci_sign=35e5a7cc354ea189067b3017ab7ac747ef5d7861 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12A; 0.73W; bidirectional; SO8; Ch: 6; ESD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 18V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 12A
Leakage current: 2µA
Number of channels: 6
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.73W
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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DA112S1 DA112S1 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000826.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 8-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Unidirectional Channels: 6
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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DA112S1 DA112S1 Hersteller : STMicroelectronics da112s1-1849055.pdf 12 Diode Array
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DA112S1 DA112S1 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BBBF807938573E28&compId=DA1xxS1.pdf?ci_sign=35e5a7cc354ea189067b3017ab7ac747ef5d7861 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12A; 0.73W; bidirectional; SO8; Ch: 6; ESD
Case: SO8
Max. off-state voltage: 18V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 12A
Leakage current: 2µA
Number of channels: 6
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.73W
Mounting: SMD
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auf Bestellung 106 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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100+0.30 EUR
1000+0.27 EUR
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