DAA200X1800NA IXYS
Hersteller: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 100A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.21V
Max. forward impulse current: 1.5kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 200A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DAA200X1800NA IXYS
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double independent; 1.8kV; If: 100Ax2; SOT227B; 200A, Type of semiconductor module: diode, Semiconductor structure: double independent, Max. off-state voltage: 1.8kV, Load current: 100A x2, Case: SOT227B, Max. forward voltage: 1.21V, Max. forward impulse current: 1.5kA, Electrical mounting: screw, Max. load current: 200A, Mechanical mounting: screw, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect.
Weitere Produktangebote DAA200X1800NA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
DAA200X1800NA | IXYS |
Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DAA200X1800NA |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B
Description: DIODE MODULE AVAL 1800V SOT227B
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


