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DAP222T1G

DAP222T1G onsemi

dap222-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Technische Details DAP222T1G onsemi

Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-416, Durchlassstoßstrom: 2A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DAP222T1G DAP222T1G Hersteller : onsemi DAP222_D-2310743.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching 80V 100mA
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DAP222T1G DAP222T1G Hersteller : onsemi dap222-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
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DAP222T1G DAP222T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013903369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DAP222T1G DAP222T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013903369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DAP222T1G Hersteller : ON dap222-d.pdf 05+06+
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DAP222T1G DAP222T1G Hersteller : ON Semiconductor dap222-d.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching 80V 0.1A 4ns 3-Pin SOT-416 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DAP222T1G Hersteller : ONSEMI DAP222.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 3.5pF
Max. off-state voltage: 80V
Max. load current: 0.3A
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 2A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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DAP222T1G Hersteller : ONSEMI DAP222.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Case: SC75
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 3.5pF
Max. off-state voltage: 80V
Max. load current: 0.3A
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 2A
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