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DB104-G

DB104-G Comchip Technology

DB101-G Thru318941. DB107-G RevC.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
auf Bestellung 4050 Stücke:
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Technische Details DB104-G Comchip Technology

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Last Time Buy, Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DB104-G DB104-G Hersteller : Comchip Technology qw-bbr9420db101-g20thru.20db107-g20reva.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB Tube
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DB104-G DB104-G Hersteller : Comchip Technology QW_BBR94_DB101_G_Thru__DB107_G_RevA-3675906.pdf Bridge Rectifiers VR=400V, IO=1A
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DB104G DB104G Hersteller : GeneSiC Semiconductor db104g-3480687.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1KV 1A 400P/280R
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DB104G Hersteller : Navitas Semiconductor db101g.pdf DB104G
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DB104G Hersteller : GeneSiC Semiconductor db101g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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