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Technische Details DCG130X1200NA IXYS
Description: DIODE MOD SIC 1200V 64A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A, Supplier Device Package: SOT-227B, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote DCG130X1200NA nach Preis ab 327.08 EUR bis 327.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DCG130X1200NA | Hersteller : IXYS |
 Description: DIODE MOD SIC 1200V 64A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A Supplier Device Package: SOT-227B Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 1200 V |
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DCG130X1200NA Produktcode: 126969
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