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DCK10I650PA

DCK10I650PA Littelfuse

powersemiconductorsicschottkydiodedck10i650padatasheet.pdf
Hersteller: Littelfuse
Diode Schottky 650V 29.3A 2-Pin(2+Tab) TO-220
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Technische Details DCK10I650PA Littelfuse

Description: LITTELFUSE - DCK10I650PA - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 29.3 A, 25.5 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 25.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29.3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DCK10I650PA DCK10I650PA Littelfuse powersemiconductorsicschottkydiodedck10i650padatasheet.pdf Diode Schottky 650V 29.3A 2-Pin(2+Tab) TO-220
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DCK10I650PA DCK10I650PA Littelfuse Littelfuse_03-25-2025_Power_Semiconductor_SiC_Schottky_Diode_DCK10I650PA_Datasheet.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2L
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DCK10I650PA DCK10I650PA IXYS dck10i650pa-datasheet?assetguid=9b5d15fc-c4a1-4bf1-94e4-71dcd40e367d Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29.3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
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DCK10I650PA DCK10I650PA LITTELFUSE 4651727.pdf Description: LITTELFUSE - DCK10I650PA - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 29.3 A, 25.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29.3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2L
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DCK10I650PA
Hersteller: IXYS
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 398pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29.3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
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tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29.3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
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