DCP55-16-13 Diodes Incorporated


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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1W 60V
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Technische Details DCP55-16-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-223-3, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DCP55-16-13 DCP55-16-13 Diodes Zetex ds30707.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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