DCP55-16-13

DCP55-16-13 Diodes Incorporated


diodes inc._ds30707-1164095.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1W 60V
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Technische Details DCP55-16-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.

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DCP55-16-13 DCP55-16-13 Hersteller : Diodes Zetex ds30707.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DCP55-16-13 DCP55-16-13 Hersteller : Diodes Inc ds30707.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DCP55-16-13 DCP55-16-13 Hersteller : Diodes Incorporated DCP55_-16.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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DCP55-16-13 Hersteller : onsemi DCP55_-16.pdf Bipolar Transistors - BJT
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