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Technische Details DCP55-16-13 Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote DCP55-16-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DCP55-16-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DCP55-16-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DCP55-16-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DCP55-16-13 | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |