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DCX123JU-7-F

DCX123JU-7-F Diodes Zetex

ds30347.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details DCX123JU-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DCX123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: DCX Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DCX123JU-7-F DCX123JU-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DCX_XXXX_U.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1590000 Stücke:
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3000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.07 EUR
21000+0.07 EUR
30000+0.07 EUR
75000+0.06 EUR
150000+0.06 EUR
300000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DCX123JU-7-F DCX123JU-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED DCX_XXXX_U.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50/50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 2.2kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
447+0.16 EUR
725+0.10 EUR
848+0.08 EUR
1099+0.07 EUR
1218+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 447
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DCX123JU-7-F DCX123JU-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED DCX_XXXX_U.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50/50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 2.2kΩ
auf Bestellung 1218 Stücke:
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1099+0.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 447
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DCX123JU-7-F DCX123JU-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30347.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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DCX123JU-7-F DCX123JU-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005038934_1-2542667.pdf Digital Transistors COMP NPN/PNP 200mW
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Mindestbestellmenge: 7
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DCX123JU-7-F DCX123JU-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DCX_XXXX_U.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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500+0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 39
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DCX123JU-7-F DCX123JU-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005038934-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DCX123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: DCX Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 500 Stücke:
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DCX123JU-7-F DCX123JU-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005038934-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DCX123JU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: DCX Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1220 Stücke:
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auf Bestellung 509 Stücke:
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