DD1000S33HE3BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE MOD GP 3300V AGIHVB130-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: AG-IHVB130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000 A @ 1800 V
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Technische Details DD1000S33HE3BPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 3300V AGIHVB130-3, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Supplier Device Package: AG-IHVB130-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000 A @ 1800 V.
Weitere Produktangebote DD1000S33HE3BPSA1 nach Preis ab 3126.71 EUR bis 3126.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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DD1000S33HE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE MOD GP 3300V AGIHVB130-3 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Supplier Device Package: AG-IHVB130-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A |
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DD1000S33HE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode |
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DD1000S33HE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode 3.3KV 1KA Automotive 4-Pin Tray |
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DD1000S33HE3BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode 3.3KV 1KA Automotive 4-Pin Tray |
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