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DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Infineon Technologies

Infineon-DDB2U50N08W1R_B23-DS-v03_00-EN-1509447.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
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Technische Details DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Infineon Technologies DDB2U50N08W1R_B23_Rev3.0.pdf Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
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DDB2U50N08W1RB23BOMA2 DDB2U50N08W1R_B23_Rev3.0.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
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