DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 75.33 EUR |
| 10+ | 67.13 EUR |
| 30+ | 63.13 EUR |
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Technische Details DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 500A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 960mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 26Pins, Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series, productTraceability: No, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 nach Preis ab 54.58 EUR bis 75.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules EASY STANDARD |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 500A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 960mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 26Pins Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series productTraceability: No Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005613027 |
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