DDB6U50N16W1RPBPSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 69.17 EUR |
| 10+ | 46.24 EUR |
| 120+ | 45.3 EUR |
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Technische Details DDB6U50N16W1RPBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 500A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 960mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 26Pin(s), Produktpalette: Trenchstop IGBT7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DDB6U50N16W1RPBPSA1 nach Preis ab 56.29 EUR bis 96.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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DDB6U50N16W1RPBPSA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT MODULE 1200V 50A AG-EASY1BPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-EASY1B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDB6U50N16W1RPBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 500A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 960mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: Trenchstop IGBT7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDB6U50N16W1RPBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDB6U50N16W1RPBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDB6U50N16W1RPBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 50A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 50A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 6.2 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 80.66 EUR |
| DDB6U50N16W1RPBPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 500A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 960mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Trenchstop IGBT7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - DDB6U50N16W1RPBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 50 A, 960 mV, Brücke, Modul, 26 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 500A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 960mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Trenchstop IGBT7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 96.26 EUR |
| 5+ | 75.18 EUR |
| 10+ | 56.29 EUR |
| DDB6U50N16W1RPBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 92.53 EUR |
| 10+ | 88.27 EUR |
| 30+ | 85.5 EUR |
| 120+ | 80.98 EUR |
| DDB6U50N16W1RPBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 92.53 EUR |
| 10+ | 86.36 EUR |
| 30+ | 82.34 EUR |
| 120+ | 76.68 EUR |