DDB6U75N16W1RBOMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U75N16W1RBOMA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 65 A, 1.1 V, Brücke, Modul, 27 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 605A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 65A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 92.96 EUR |
| 5+ | 80.78 EUR |
| 10+ | 69.45 EUR |
| 50+ | 57.94 EUR |
| 100+ | 56.79 EUR |
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Technische Details DDB6U75N16W1RBOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U75N16W1RBOMA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 65 A, 1.1 V, Brücke, Modul, 27 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Modul, Durchlassstoßstrom: 605A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1.1V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 65A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV, Anzahl der Pins: 27Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Konfiguration Diodenmodul: Brücke, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DDB6U75N16W1RBOMA1 nach Preis ab 131.99 EUR bis 131.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DDB6U75N16W1RBOMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 69A 335W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 69 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 335 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDB6U75N16W1RBOMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 69A 335W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 69A 335W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 131.99 EUR |