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DDC143EH-7

DDC143EH-7 Diodes Zetex

35999852276939488ds30421.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details DDC143EH-7 Diodes Zetex

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 150mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote DDC143EH-7 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DDC143EH-7 DDC143EH-7 Diodes Incorporated ds30421.pdf Digital Transistors 150MW 4.7K4.7K
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DDC143EH-7 DDC143EH-7 Diodes Incorporated ds30421.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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37+0.48 EUR
100+0.24 EUR
500+0.22 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Digital Transistors 150MW 4.7K4.7K
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DDC143EH-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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