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DDTB113ZC-7-F

DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated

DDTB_XXXX_C.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DDTB113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DDTB113ZC-7-F DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTB_XXXX_C.pdf Digital Transistors 200MW 1K 10K
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9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.092 EUR
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DDTB113ZC-7-F DDTB113ZC-7-F DIODES INC. DDTB_XXXX_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTB113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+0.52 EUR
788+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
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Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTB113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Description: DIODES INC. - DDTB113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
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Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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