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DDTC113TCA-7-F

DDTC113TCA-7-F Diodes Zetex

ddtc125tca.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
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Technische Details DDTC113TCA-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DDTC113TCA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote DDTC113TCA-7-F nach Preis ab 0.045 EUR bis 0.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DDTC113TCA-7-F DDTC113TCA-7-F Diodes Incorporated DDTC_R1-ONLY_SERIES_CA.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.071 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.061 EUR
15000+0.056 EUR
21000+0.054 EUR
30000+0.051 EUR
75000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DDTC113TCA-7-F DDTC113TCA-7-F Diodes Incorporated DDTC_R1-ONLY_SERIES_CA.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
auf Bestellung 126933 Stücke:
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59+0.36 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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DDTC113TCA-7-F DDTC113TCA-7-F Diodes Incorporated DDTC_R1-ONLY_SERIES_CA.pdf Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW
auf Bestellung 8734 Stücke:
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9+0.38 EUR
15+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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DDTC113TCA-7-F DDTC113TCA-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012930102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDTC113TCA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
618+0.4 EUR
885+0.26 EUR
1544+0.14 EUR
2440+0.088 EUR
2488+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 618 Stücke
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DDTC113TCA-7-F DDTC113TCA-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012930102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDTC113TCA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm
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Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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1544+0.14 EUR
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DDTC113TCA-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
auf Bestellung 126933 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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96+0.21 EUR
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Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW
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AnzahlPrivatkunde
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15+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.075 EUR
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DDTC113TCA-7-F DIOD-S-A0012930102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDTC113TCA-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTC113TCA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2488+0.086 EUR
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DDTC113TCA-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTC113TCA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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