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DDTC114ECA-7-F DIODES INCORPORATED

Name: DDTC114ECA-7-F
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: 348460-8
Price: 0.022 EUR
Availability: InStock

Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

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Technische Details DDTC114ECA-7-F DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - DDTC114ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : DIODES INCORPORATED

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

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1475+	0.049 EUR
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3050+	0.024 EUR
3225+	0.022 EUR

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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Zetex

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Zetex

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Zetex

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Zetex

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Zetex

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 4731000 Stücke:

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3000+	0.053 EUR
6000+	0.05 EUR
9000+	0.043 EUR
30000+	0.039 EUR
75000+	0.034 EUR
150000+	0.028 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Zetex

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Anzahl	Preis ohne MwSt
1812+	0.086 EUR
1839+	0.082 EUR

Mindestbestellmenge: 1812

DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Zetex

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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541+	0.29 EUR
777+	0.19 EUR
830+	0.17 EUR
1793+	0.078 EUR
1812+	0.074 EUR
1839+	0.07 EUR

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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

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53+	0.33 EUR
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500+	0.095 EUR
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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Incorporated

Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW

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153+	0.34 EUR
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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DDTC114ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DDTC114ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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DDTC114ECA-7-F

Hersteller : Diodes Inc

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R

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