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DDTC114ECAQ-7-F

DDTC114ECAQ-7-F Diodes Incorporated

ds30329.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.066 EUR
6000+0.059 EUR
9000+0.055 EUR
15000+0.051 EUR
21000+0.049 EUR
30000+0.046 EUR
75000+0.041 EUR
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Technische Details DDTC114ECAQ-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Weitere Produktangebote DDTC114ECAQ-7-F nach Preis ab 0.074 EUR bis 0.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DDTC114ECAQ-7-F DDTC114ECAQ-7-F Diodes Incorporated ds30329.pdf Digital Transistors Prebias Transistor SOT23 T&R 3K
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10+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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