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DDTC114TCA-7-F

DDTC114TCA-7-F Diodes Zetex

ddtc_r1-only_series_ca.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DDTC114TCA-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DDTC114TCA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DDTC114TCA-7-F DDTC114TCA-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DDTC_R1-ONLY_SERIES_CA.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 207000 Stücke:
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21000+0.045 EUR
30000+0.043 EUR
75000+0.038 EUR
150000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DDTC114TCA-7-F DDTC114TCA-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012930102_1-2513225.pdf Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW
auf Bestellung 3179 Stücke:
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15+0.2 EUR
100+0.092 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.053 EUR
9000+0.046 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
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DDTC114TCA-7-F DDTC114TCA-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DDTC_R1-ONLY_SERIES_CA.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 208110 Stücke:
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59+0.3 EUR
96+0.18 EUR
153+0.12 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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DDTC114TCA-7-F DDTC114TCA-7-F Hersteller : DIODES INC. DDTC_R1-ONLY_SERIES_CA.pdf Description: DIODES INC. - DDTC114TCA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DDTC114TCA-7-F DDTC114TCA-7-F Hersteller : DIODES INC. DDTC_R1-ONLY_SERIES_CA.pdf Description: DIODES INC. - DDTC114TCA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DDTC114TCA-7-F DDTC114TCA-7-F Hersteller : Diodes Inc 2844ds30331.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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