DDTC115ECA-7-F Diodes Zetex
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Technische Details DDTC115ECA-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DDTC115ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DDTC115ECA-7-F nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.33 EUR
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTC115ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTC115ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Inc |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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DDTC115ECA-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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| DDTC115ECA-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DDTC115ECA-7-F NPN SMD transistors |
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