Produkte > DIODES INCORPORATED > DDTC123EUA-7-F
DDTC123EUA-7-F

DDTC123EUA-7-F Diodes Incorporated

ds30321.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 1095000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
15000+0.06 EUR
21000+0.06 EUR
30000+0.05 EUR
75000+0.05 EUR
150000+0.04 EUR
300000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DDTC123EUA-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-323, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Weitere Produktangebote DDTC123EUA-7-F nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.41 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DDTC123EUA-7-F DDTC123EUA-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30321.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 1095000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+0.37 EUR
79+0.22 EUR
128+0.14 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTC123EUA-7-F DDTC123EUA-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005737171_1-2542742.pdf Digital Transistors 200MW 2.2K
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.41 EUR
10+0.28 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTC123EUA-7-F DDTC123EUA-7-F Hersteller : Diodes Inc 2589ds30321.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDTC123EUA-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30321.pdf DDTC123EUA-7-F NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH