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DDTC123JLP-7

DDTC123JLP-7 Diodes Zetex

1169065642899270ds30755.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R
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Technische Details DDTC123JLP-7 Diodes Zetex

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Weitere Produktangebote DDTC123JLP-7 nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DDTC123JLP-7 DDTC123JLP-7 Diodes Incorporated ds30755.pdf Digital Transistors 250mW Single (R1/R2)
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
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DDTC123JLP-7 DDTC123JLP-7 Diodes Incorporated ds30755.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Digital Transistors 250mW Single (R1/R2)
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DDTC123JLP-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2330 Stücke:
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