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DDTC143ECA-7-F

DDTC143ECA-7-F Diodes Zetex

ds30329.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DDTC143ECA-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DDTC143ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30329.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30329.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30329.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30329.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30329.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30329.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006456278_1-2542704.pdf Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30329.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0006456278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDTC143ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30329.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0006456278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDTC143ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DDTC143ECA-7-F Hersteller : DIODES/ZETEX ds30329.pdf NPN 50V 100mA 250MHz 200mW DDTC143ECA-7-F Diodes TDDTC143eca
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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500+0.068 EUR
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30329.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30329.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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DDTC143ECA-7-F DDTC143ECA-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30329.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
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