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DDTD113ZC-7-F

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Produktcode: 215803
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 471000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.088 EUR
9000+0.082 EUR
15000+0.077 EUR
21000+0.074 EUR
30000+0.07 EUR
75000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1150+0.15 EUR
1162+0.14 EUR
1235+0.13 EUR
1891+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 1150 Stücke
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DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 98561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+0.48 EUR
517+0.32 EUR
565+0.29 EUR
1150+0.13 EUR
1235+0.12 EUR
1891+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F DIODES INC. DDTD_XXXX_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DDTDxC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.6 EUR
685+0.33 EUR
1097+0.19 EUR
1484+0.14 EUR
1698+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Digital Transistors 200MW 1K 10K
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.35 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-7-F DIODES INC. DDTD_XXXX_C.pdf Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DDTDxC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DDTD113ZC-7-F Diodes INC. DDTD_XXXX_C.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 56, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 2,5 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DDTD113ZC-7-F
Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 471000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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DDTD113ZC-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.098 EUR
6000+0.088 EUR
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15000+0.077 EUR
21000+0.074 EUR
30000+0.07 EUR
75000+0.063 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1150+0.15 EUR
1162+0.14 EUR
1235+0.13 EUR
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DDTD113ZC-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 98561 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
367+0.48 EUR
517+0.32 EUR
565+0.29 EUR
1150+0.13 EUR
1235+0.12 EUR
1891+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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DDTD113ZC-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DDTDxC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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685+0.33 EUR
1097+0.19 EUR
1484+0.14 EUR
1698+0.13 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Digital Transistors 200MW 1K 10K
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.65 EUR
10+0.35 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DDTD113ZC-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DDTDxC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DDTD113ZC-7-F DDTD_XXXX_C.pdf
Hersteller: Diodes INC.
Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 56, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 2,5 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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