DDTD123EC-7-F
Produktcode: 215420
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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DDTD123EC-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 40V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 255000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DDTD123EC-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 255000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDTD123EC-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 255604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDTD123EC-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Digital Transistors 200MW 2.2K |
auf Bestellung 6049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDTD123EC-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans Digital BJT NPN 40V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BDW94C Produktcode: 1600
1
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 12
h21,max: 20000
Bem.: DARLINGT
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 12
h21,max: 20000
Bem.: DARLINGT
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 200 St.:
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.54 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| BDW93C (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 872
4
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 12
h21: 20000
Bem.: Darlington
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 12
h21: 20000
Bem.: Darlington
ZCODE: THT
auf Bestellung 410 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 30 St.:
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.45 EUR |
| 10+ | 0.4 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |


