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DDTD123EC-7-F

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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DDTD123EC-7-F DDTD123EC-7-F Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 255000 Stücke:
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DDTD123EC-7-F DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 255000 Stücke:
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DDTD123EC-7-F DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DDTD123EC-7-F DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Digital Transistors 200MW 2.2K
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DDTD123EC-7-F
Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 40V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DDTD123EC-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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DDTD123EC-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21, max: 20000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung: 211 St.
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Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21: 20000
Bemerkung: Darlington
Montage: THT
erwartet: 50 St.
  • 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 320 St.
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