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DDTD123TC-7-F

DDTD123TC-7-F Diodes Zetex

ds30384.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DDTD123TC-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DDTD123TC-7-F DDTD123TC-7-F Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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DDTD123TC-7-F DDTD123TC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
auf Bestellung 510000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.071 EUR
6000+0.065 EUR
9000+0.057 EUR
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DDTD123TC-7-F DDTD123TC-7-F Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.083 EUR
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DDTD123TC-7-F DDTD123TC-7-F Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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770+0.23 EUR
841+0.2 EUR
1200+0.14 EUR
1758+0.093 EUR
3000+0.076 EUR
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DDTD123TC-7-F DDTD123TC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Digital Transistors 200MW 2.2K
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8+0.43 EUR
12+0.29 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.065 EUR
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DDTD123TC-7-F DDTD123TC-7-F Diodes Incorporated DDTD_XXXX_C.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 515149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
72+0.29 EUR
148+0.14 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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DDTD123TC-7-F DDTD123TC-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013290598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2205 Stücke:
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527+0.48 EUR
863+0.27 EUR
1421+0.15 EUR
1920+0.11 EUR
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DDTD123TC-7-F DDTD123TC-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013290598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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DDTD123TC-7-F DDTD123TC-7-F Diodes Zetex ds30384.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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356+0.49 EUR
427+0.39 EUR
453+0.36 EUR
770+0.2 EUR
841+0.18 EUR
1200+0.12 EUR
1758+0.077 EUR
3000+0.064 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
auf Bestellung 510000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.065 EUR
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
770+0.23 EUR
841+0.2 EUR
1200+0.14 EUR
1758+0.093 EUR
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
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Digital Transistors 200MW 2.2K
auf Bestellung 9940 Stücke:
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12+0.29 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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DDTD123TC-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 515149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+0.082 EUR
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DDTD123TC-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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AnzahlPrivatkunde
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1421+0.15 EUR
1920+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 527 Stücke
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DDTD123TC-7-F DIOD-S-A0013290598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDTD123TC-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
527+0.48 EUR
863+0.27 EUR
1421+0.15 EUR
1920+0.11 EUR
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356+0.49 EUR
427+0.39 EUR
453+0.36 EUR
770+0.2 EUR
841+0.18 EUR
1200+0.12 EUR
1758+0.077 EUR
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
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