DDTD123TC-7-F Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.06 EUR |
| 6000+ | 0.055 EUR |
| 9000+ | 0.048 EUR |
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Technische Details DDTD123TC-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DDTD123TC-7-F nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DDTD123TC-7-F | Diodes Incorporated |
Digital Transistors 200MW 2.2K |
auf Bestellung 9940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDTD123TC-7-F | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 515149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DDTD123TC-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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DDTD123TC-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DDTD123TC-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Digital Transistors 200MW 2.2K
Digital Transistors 200MW 2.2K
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.36 EUR |
| 12+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.069 EUR |
| 3000+ | 0.055 EUR |
| DDTD123TC-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 48+ | 0.37 EUR |
| 72+ | 0.24 EUR |
| 148+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.099 EUR |
| 1000+ | 0.069 EUR |
| DDTD123TC-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
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Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| DDTD123TC-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTD123TC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
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usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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