DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies
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Technische Details DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DF100R07W1H5FPB54BPSA2 nach Preis ab 78.15 EUR bis 147.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 EasyPACK™ module with TRENCH STOP™5 H5 and CoolSiC™ diode |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
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| DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DF100R07W1H5FPB54BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] DC-Kollektorstrom: 50 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
EasyPACK™ module with TRENCH STOP™5 H5 and CoolSiC™ diode |
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