
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
auf Bestellung 67 Stücke:
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Anzahl | Preis |
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11+ | 50.38 EUR |
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Technische Details DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DF100R07W1H5FPB54BPSA2 nach Preis ab 52.45 EUR bis 99.51 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() IGBT-Technologie: Trench Stop 5 H5/ CoolSiC Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] DC-Kollektorstrom: 50 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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