DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 128.12 EUR |
| 10+ | 117.29 EUR |
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Technische Details DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 nach Preis ab 130.97 EUR bis 138.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
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| 1+ | 138.06 EUR |
| 24+ | 130.97 EUR |