DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
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Technische Details DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Supplier Device Package: AG-EASY1B, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 nach Preis ab 98.56 EUR bis 126.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DF11MR12W1M1HFB67BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 126.12 EUR |
| 10+ | 98.56 EUR |